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高德红外制冷型大规模探测器获突破

作者:admin     发布时间:2021-09-18 09:57 点击数:

  研制的“1280×1024 规模、12μ m 像元尺寸的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器”项目进行了评价。评价专家组一致同意公司该碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目通过科技成果评价。市文广旅体局带队调研一汽-大众企业文化家示范点建设 2021-09-06

  根据高德红外公告显示,公司研制的该制冷型红外焦平面阵列探测器芯片项目的评审通过,是公司继掌握非制冷 1280×1024@12μ m 探测器芯片研制技术后,在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。

  据经济观察网记者了解,制冷型红外焦平面阵列探测器是各种红外热成像系统(军用为主)的核心部件。可广泛应用在各类光电吊舱、光电雷达、多光谱光电侦查、瞄具等尖端武器系统中。然而,由于西方国家的技术垄断和产品封锁,高清制冷红外探测器在国内并没有实现产业化和产品列装。高德红外成功研制的1280×1024@12μm碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器是我国制冷红外探测器芯片领域的一个重大技术突破,打破了西方发达国家对我国高端红外核心芯片领域的技术封锁。

  根据高德红外公告显示,结合公司现已建成的制冷探测器芯片批产线优势,该碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器芯片的研制成功将大幅度提升高端红外热成像产品性能指标,为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍,打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代,有力促进了我国高端碲镉汞材料和探测器芯片产业核心能力的提升。www.sh3n.cn

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